一、项目内容
深硅刻蚀加工：4寸硅片上光刻1202um、429um、425um、134um等尺寸的图形，然后深硅刻蚀667um深度。加工尺寸误差不多于设计+/-5%。
二、单一来源采购理由说明
在国内对数家可进行类似加工的企业进行调研后，只找到一家可以达到以上参数指标的加工。
三、该项目拟从苏州佳斯轩电子科技有限公司处加工。
四、征求意见期限从2016年5月13 日至2016年5月 20 日止。
潜在供应商对公示内容有异议的，请于公示期满后两个工作日内以实名书面（盖单位公章、包括联系人、地址、联系电话）形式将意见反馈至中国科学院重庆绿色智能技术研究院科研公共服务平台（地址：重庆市北碚区水土镇水土高新园方正大道266号，联系人：叶老师，联系电话：023-65935458）。
中国科学院重庆绿色智能技术研究院
2016年5月13日
