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中国科学院重庆绿色智能技术研究院低应力氮化硅基片采购单一来源征求意见公示
2016-06-29| 编辑: | 【

一、项目名称  

  低应力氮化硅基片,厚度30nm,应力应低于100Mpa 

二、单一来源采购理由说明  

  本次采购的低应力氮化硅基片为实验必需品,且对其质量要求较高。其技术要求为厚度30nm,应力应低于100Mpa。目前国内外仅仅Cornell NanoScale Science & Technology Facility 才能提供此货物。 

三、该项目拟从Cornell NanoScale Science & Technology Facility购买。  

四、征求意见期限从2016629日至201676日止。  

  潜在供应商对公示内容有异议的,请于公示期满后两个工作日内以实名书面(盖单位公章、包括联系人、地址、联系电话)形式将意见反馈至中国科学院重庆绿色智能技术研究院科研公共服务平台(地址:重庆市北碚区水土镇水土高新园方正大道266号,联系人:叶老师,联系电话:023-65935458)。  

      

中国科学院重庆绿色智能技术研究院  

2016629

 
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