熊稳，男，2004年6月毕业于重庆大学数理学院，2010年6月博士毕业于中科院半导体所超晶格国家重点实验室。2016年9月-2017年2月在中科院半导体所做访问学者，2019年2月-2020年2月在新加坡南洋理工大学做Research Fellow，现在主要从事半导体材料的计算研究。

微纳制造与系统集成研究中心

半导体物理，材料物理，有效质量理论(Effective-mass theory)和第一性原理密度泛函理论(Density functional theory)，同时还从事新型二维半导体材料及其异质结的光电性质研究。

1. Fundamental Intrinsic Lifetimes in Semiconductor Self-Assembled Quantum Dots, Physical Review Applied, 10,  044009 (2018), 排名1；

2. Optical response of Te-based monolayer materials from first principles, Applied Physics Letters, 115, 151104 (2019), 排名2；  

3. The large photoresponse and high polarization sensitivity of Te-based optoelectronic devices with the adsorbed hydroxide ions, Applied Physics Letters, 119, 221109 (2021), 排名2；  

4. Effect of strain engineering on magnetism-induced valley splitting in WSe₂ based on the WSe₂ /CrSe₂ heterojunction, Applied Physics Letters, 119, 162101 (2021), 排名3；  

5. First-principles study on strain-modulated negative differential resistance effect of in-plane device based on heterostructure tellurene, Applied Surface Science, 528, 146957 (2020), 排名2；  

6. Uniaxial strain induced symmetry lowering and valleys drift in MoS_2, New Journal of Physics, 23, 053007 (2021), 排名2；  

7. Internal and external electric field tunable electronic structures for photocatalytic water splitting: Janus transition-metal chalcogenides/C₃N₄ van der Waals heterojunctions, Applied Surface Science, 566, 150639 (2021), 排名5；  

8. The theoretical direct-band-gap optical gain of Germanium nanowires, Scientific Reports, 10, 32 (2020), 排名1；  

9. The Theoretical Optical Gain of Ge_1-xSn_x Nanowires, Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 14, 1900704 (2020), 排名1；    

1. 单轴应力调控的锗和锗锡纳米线电子结构和光学增益研究, 国家自然科学基金面上项目, 2021年1月-2024年12月，61万，排名1；

2. 锰掺杂纤锌矿半导体量子线的光学和磁学性质，国家自然科学基金青年项目，2015年1月-2017年12月，25万，排名1；    

3. 单轴应力调控的锗纳米线电子结构和光学增益研究，重庆市自然科学基金面上项目，2020年7月-2023年6月，10万，排名1；  

4. 石墨烯与拓扑绝缘体上磁性的非磁场调控与相关元激发，国家自然科学基金青年项目，2015年1月-2017年12月，25万，排名2；