依据《重庆市科学技术奖励办法》以及《关于2024年度重庆市科学技术奖提名工作的通知》相关文件的要求，对2024年度重庆市科学技术奖申报项目进行公示，公示时间2025年2月13日至2025年2月17日。

一、项目名称

高精度智能压力变送器及其核心敏感MEMS元件研发与产业化应用

二、主要完成人

喻立川、田英明、张小平、向泽蓝、王春喜、赵剑明、陆文强、艾军、高晓红、吕鹏勃、何志强、喻丽、王方

三、主要完成单位及提名等级

1.重庆川仪自动股份有限公司

2.重庆四联测控技术有限公司

3.重庆金芯麦斯传感器技术有限公司

4.中国科学院沈阳自动化研究所

5.机械工业仪器仪表综合技术经济研究所

6.中国科学院重庆绿色智能技术研究院

拟提名重庆市科技进步奖一等奖

提名专家：谭久彬（中国工程院院士、哈尔滨工业大学超精密光电仪器工程研究所教授、‌精密仪器技术与工程专业）

四、项目简介

压力传感器应用量大、面广、价值量高，而我国核心敏感元件高端MEMS硅基压力传感器芯片完全依赖进口，严重制约着我国高端智能装备安全自主可控发展，亟待解决。为解决此严重“卡脖子”问题，本项目开展了自主知识产权的高端MEMS敏感元件研制，依托此核心部件研发了高端智能压力/差压变送器产品，并建成了2个产业基地。

采用多物理场耦合有限元仿真分析方法，建立传感器芯片多层复合薄膜应力模型，围绕硅基的MEMS结构设计、传感器基座结构设计、硅基力敏电阻表面钝化层的多种膜层材料设计与微纳制备工艺、基于步进式刻蚀提升各向异性腐蚀均匀性的背腔加工工艺、低孔隙率高强度硅-玻璃阳极键合工艺等方面进行创新研发，成功研制出基于高稳MEMS压力敏感元件的压力传感器，填补国内高精度传感器空白。

依托自主MEMS敏感元件，突破传压元件弹性响应、低功耗高精度信号调理、高温环境压力测量的传压结构、导压管堵塞检测、多参数融合高精度补偿校准等设计技术，攻克超薄膜片精密成型及均热焊接、传压介质高真空微量充灌、低压损压力传导等关键工艺及实现多批量、多品种、自适应装夹、参数自配置的智能制造技术，开发出进入世界第一梯队的高端智能压力变送器产品，达到国际先进水平，核心关键技术指标达到国际领先水平。

本项目研发的高稳MEMS敏感元件及高端智能压力/差压变送器，整体成果达到了国内领先、国际先进的水平，打破了美国Emerson、日本Yokogawa等世界 500强公司对国内高端智能压力变送器产品的技术封锁，在实现核电、石油、化工、电力、冶金、建材等典型行业形成示范应用。项目共形成知识产权48项，其中授权发明专利14项。实现高稳MEMS敏感元件20万件台/年的产能，在流程工业压力测量传感芯片市场占有率超过40%。实现压力变送器30万台/年的产能，近3年销售收入达16.76亿元，在中高端压力变送器领域市场占有率达12.9%，国产品牌排名第一。

五、主要知识产权目录

主要知识产权证明目录（不超过10件）

本材料公示期内（2025年2月13日至2025年2月17日），任何单位或个人对公示项目的创造性、先进性、适用性及推荐材料的真实性和项目主要完成单位持有异议的，可以书面形式向科技处提出，并提供必要的证明材料。为便于核实查证，确保实事求是、客观公正地处理异议，提出异议的单位或者个人应当表明真实身份，并提供联系方式。凡匿名异议和超出期限的异议，不予受理。

特此公示。

联系单位：中国科学院重庆绿色智能技术研究院科技处

通讯地址：重庆市北碚区方正大道266号

联系电话：023-65935678

联 系 人：孙萌

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