2006年本科毕业于北京师范大学物理学系，北京市优秀毕业生；2011年底博士毕业于北京大学电子学系。2012年1月至2015年3月在中国电子科技集团公司模拟与混合集成电路国防重点实验室开展超大规模集成电路工艺整合工作，任SiGe团队负责人，曾于2012年和2014年赴英国Plessy Semiconductors公司和法国ST Microeletronics进行SiGe BiCMOS工艺访问。2015年3月加入中科院重庆院。在国际主流学术期刊发表学术论文30余篇，授权发明专利22项，主要研究方向为集成电路工艺及碳基电子和光电成像器件。主持国家自然科学基金、重庆市自然科学基金重点项目、重庆市产业示范重点项目等，总经费超过1000万元，并入选2017年度中国科学院青年创新促进会会员。 

微纳制造与系统集成研究中心

焦平面红外探测器件及成像系统 

 2021年度中国化工学会科学技术一等奖，排名第6

[1] Dual-Color Photodetection Based on Speed-Differentiated Photoresponse with High Photogain. Acs Photonics, 2021, 通讯作者.

[2] High-performance mid-infrared photodetection based on Bi2Se3 maze and free-standing nanoplates. Nanotechnology, 2021, 通讯作者.  

[3] High-performance broadband photodetector with in-situ-grown Bi2Se3 film on micropyramidal Si substrate. Optical Materials, 2021, 通讯作者.  

[4] Broadband photodetector based on 2D layered PtSe2/silicon heterojunction at room-temperature. Physica E, 2020, 通讯作者.  

[5] Broadband InSb/Si heterojunction photodetector with graphene transparent electrode. Nanotechnology, 2020, 通讯作者.  

[6] Fabrication of hybrid graphene/CdS quantum dots film with the flexible photo-detecting performance. Physica E, 2020, 通讯作者.  

[7] Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring. Nanotechnology, 2019, 第一作者.  

[8] Infrared Photodetector Based on the Photothermionic Effect of Graphene-Nanowall/Silicon Heterojunction. Acs Applied Materials & Interfaces, 2019, 通讯作者.  

[9] High-performance solar-blind photodetector with graphene and nitrogen-doped reduced graphene oxide quantum dots (rGOQDs). Materials Express, 2018, 通讯作者.  

1. “非制冷光电器件研究”，课题负责人，920万，2020.12-2025.11；  

2. 中国科学院青年创新促进会会员，项目负责人，80万，2018.01-2021.12；  

3. “碳纳米墙-硅肖特基结的热载流子发射机理与光电响应特性研究”，国家自然科学基金青年基金，项目负责人，20万，2018.01-2020.12；  

4. “石墨烯近红外探测器开发与应用示范”，重庆市重点产业共性关键技术创新专项重点研发项目，课题负责人，80万，2017.11-2019.10；  

5. “低功耗自整流石墨烯忆阻器的实时调控和阻变机制研究”，重庆市自然科学基金重点项目，项目负责人，20万，2015.12-2018.11；